(资料图)

此外，Intel 20A和Intel 18A制程节点将同时采用PowerVia背面供电技术和RibbonFET全环绕栅极技术。作为一种向晶体管供电的全新方式，背面供电技术也带来了散热和调试设计方面的全新挑战。

通过将PowerVia与RibbonFET这两项技术的研发分开进行，英特尔能够迅速应对上述挑战，确保能在基于Intel 20A和Intel 18A制程节点的芯片中实现PowerVia技术。英特尔开发了散热技术，以避免过热问题的出现，同时，调试团队也开发了新技术，确保这种新的晶体管设计结构在调试中出现的各种问题都能得到适当解决。因此，在集成到RibbonFET晶体管架构之前，PowerVia就已在测试中达到了相当高的良率和可靠性指标，证明了这一技术的预期价值。

PowerVia的测试也利用了极紫外光刻技术（EUV）带来的设计规则。在测试结果中，芯片大部分区域的标准单元利用率都超过90%，同时单元密度也大幅增加，可望降低成本。测试还显示，PowerVia将平台电压（platform voltage）降低了30%，并实现了6%的频率增益（frequency benefit）。PowerVia测试芯片也展示了良好的散热特性，符合逻辑微缩预期将实现的更高功率密度。

接下来，在将于VLSI研讨会上发表的第三篇论文中，英特尔技术专家Mauro Kobrinsky还将阐述英特尔对PowerVia更先进部署方法的研究成果，如同时在晶圆正面和背面实现信号传输和供电。

英特尔领先业界为客户提供PowerVia背面供电技术，并将在未来继续推进相关创新，延续了其率先将半导体创新技术推向市场的悠久历史。

标签：